- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/42 - Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 41/42
Brevets de cette classe: 33
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
11 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 678 |
4 |
| Winbond Electronics Corp. | 1173 |
4 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
2 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
2 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
2 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
2 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
1 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
1 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
1 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4732 |
1 |
| Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation | 388 |
1 |
| Kepler Computing Inc. | 221 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |